चीन से कस्टम मेड सिलिकॉन कार्बाइड SiC सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट 4H-N निर्माता

SiC सिंगल क्रिस्टल में कई उत्कृष्ट गुण होते हैं, जैसे उच्च तापीय चालकता, उच्च संतृप्त इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, और वोल्टेज टूटने के लिए मजबूत प्रतिरोध। यह उच्च आवृत्ति, उच्च शक्ति, उच्च तापमान और विकिरण प्रतिरोधी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को तैयार करने के लिए उपयुक्त है।

मुख्य प्रदर्शन पैरामीटर
विकास विधि	बीज उच्च बनाने की क्रिया विधि, PVT (भौतिक वाष्प परिवहन)
क्रिस्टल की संरचना	छह पार्टियां
लैटिस कॉन्सटेंट	ए = 3.08 … सी = 15.08 बजे...
घनत्व	3.21 ग्राम/सेमी 3
दिशा	वृद्धि अक्ष या विचलन <0001> 3.5
ऊर्जा अंतराल	3.26 ईवी (अप्रत्यक्ष)
कठोरता	9.2 (मोह)
तापीय चालकता@300K	5 डब्ल्यू / सेमी। क
पारद्युतिक स्थिरांक	और (11) = और (22) = 9.66 और (33) = 10.33
आकार	10x3, 10x5, 10x10, 15x15,, 20x15, 20x20,
	दीया2", डीआई3", दीया4"
मोटाई	0.35 मिमी,
घर्षण	एक तरफा या दो तरफा
क्रिस्टल अभिविन्यास	<0001>±0.5º
क्रिस्टल प्लेन ओरिएंटेशन एक्यूरेसी:	±0.5°
एज ओरिएंटेशन सटीकता:	2°(विशेष आवश्यकताएं 1° के भीतर पहुंच सकती हैं)
बेवल वेफर	विशिष्ट आवश्यकताओं के अनुसार, एक विशिष्ट कोण (झुकाव कोण 1°-45°) पर झुकाव वाले किनारे-उन्मुख क्रिस्टल विमानों वाले वेफर्स को संसाधित किया जा सकता है
रा:	≤5Ã… (5Âμm×5Âμm)
पैकेज	क्लास १०० क्लीन बैग, क्लास १००० सुपर क्लीन रूम