मद संख्या।:
GS-L006भुगतान:
L/C、 Western Union、 D/P、 T/Tउत्पाद उत्पत्ति:
Anhui, Chinaअधिकतम आकार:
Dia40mmउन्मुखीकरण:
<100>、<110>、<111>पैकेज:
100 clean bag，1000 exactly clean bagवास्तु की बारीकी
विनिर्देश
प्रक्रिया प्रवाह
पैकेजिंग
परिवहन
सामान्य प्रश्न
एनडी डोपेड येट्रियम वैनाडेट (एनडी: वाईवीओ 4) वर्तमान वाणिज्यिक लेजर क्रिस्टल के बीच डायोड पंपिंग के लिए सबसे कुशल लेजर होस्ट क्रिस्टल है, विशेष रूप से निम्न से मध्यम शक्ति के लिए।
| दोपंत | 0.1% ~ 3% | अभिविन्यास | ए-कट +/-0.5° |
| आकार&सहिष्णुता | डब्ल्यू (+/- 0.1) * एच (+/- 0.1) * एल (+ 0.5/-0.1) मिमी | ||
| सतही गुणवत्ता | 10/5 | खड़ापन | 5′ |
| समानता | 10″ | झुकना | <0.2mmx45° |
| समतलता | /10@633 एनएम | चिप्स | <0.1 मिमी |
| TWD | λ/6@633 एनएम | CA | 95% |
| कोटिंग्स | C1--- AR@1064(R<0.2%) C2--- AR@1064(R<0.2%)&532(R<0.5%) C3--- AR@1064(R<0.2%)& 808 (आर <0.5%) C4 --- AR@1064(R<0.2%)&532(R<0.5%)&@808(R<3%) C5 --- HR@1064(R>99.8%)&HT@808( टी>95%) C6 --- HR@1064(R>99.8%)&532(R>99.5%)&HT@808(T>95%) | ||
| पी/एन | डोपिंग | कट एंगल | आकार (मिमी) | परत |
| एनवाईवी-20-331-सी6/सी2 | 2% | एक चोट | 3x3x1 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
| एनवाईवी-10-332-सी6/सी2 | 1% | एक चोट | 3x3x2 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
| एनवाईवी-10-333-सी6/सी2 | 1% | एक चोट | 3x3x3 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
| एनवाईवी-07-333-सी6/सी2 | 0.7% | एक चोट | 3x3x3 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
| एनवाईवी-07-333-सी4/सी2 | 0.7% | एक चोट | 3x3x3 | एस1:एआर@1064&532&808एनएम एस2:एआर@1064&532एनएम |
| एनवाईवी-07-335-सी4/सी2 | 0.7% | एक चोट | 3x3x5 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
| एनवाईवी-05-335-सी5/सी1 | 0.5% | एक चोट | 3x3x5 | S1:HR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
| एनवाईवी-05-3310-सी3/सी1 | 0.5% | एक चोट | 3x3x10 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
| एनवाईवी-03-3310-सी3/सी1 | 0.3% | एक चोट | 3x3x10 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
| NYV-03-3312-C3/C1 | 0.3% | एक चोट | 3x3x12 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
| एनवाईवी-027-3310-सी3/सी1 | 0.27% | एक चोट | 3x3x10 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
| NYV-027-3312-C3/C1 | 0.27% | एक चोट | 3x3x12 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
| एनवाईवी-02-3310-सी3/सी1 | 0.2% | एक चोट | 3x3x10 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
| एनवाईवी-02-3312-सी3/सी1 | 0.2% | एक चोट | 3x3x12 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
711, Block B, Greenland Blue Sea, Government District, Hefei, Anhui, China
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