एनबी डोप्ड Srtio3 एनबी: srtio3 एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट

विभिन्न प्रकार की अच्छी जाली मिलान सामग्री के साथ SrTiO3 पेरोसाइट क्रिस्टल संरचना, जो उच्च तापमान सुपरकंडक्टिंग ऑक्साइड पतली फिल्म और सब्सट्रेट सामग्री की गुणवत्ता की एक किस्म है, लेकिन विशेष ऑप्टिकल विंडो और उच्चतम गुणवत्ता वाले स्पटरिंग लक्ष्य लकड़ी में भी व्यापक रूप से उपयोग की जाती है। एचबी कंपनी है उत्पादन लाइन का एक स्वतंत्र सेट, उच्च गुणवत्ता वाले SrTiO3 पाउडर से, SrTiO3 सिंगल क्रिस्टल पॉलिश किए गए विभिन्न आकारों के एपिटैक्सियल सब्सट्रेट के लिए मोनोक्रिस्टलाइन और SrTiO3 सबस्ट्रेट्स के उच्च गुणवत्ता वाले कम लागत वाले वैश्विक प्रदाता के लिए। प्रमुख क्षमता पैरामीटर क्रिस्टल की संरचनाM6 विकास विधि ब्लेज़ विधि यूनिट सेल स्थिरांक ए=3.905Å गलनांक（℃） 2080 घनत्व (जी / सेमी 3) 5.122（g/cm3） कठोरता 6-6.5 (मोह) थर्मल विस्तार（/℃） 9.4×10-6 ढांकता हुआ स्थिरांक =5.20 रासायनिक स्थिरता पानी में अघुलनशील स्पर्शरेखा हानि ~5×10-4（300k） ~3×10-4（77k） आकार 10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm、20×15mm विशेष आकार और अभिविन्यास अनुरोध पर उपलब्ध हैं मोटाई 0.5 मिमी、1.0 मिमी आकार सहनशीलता

गैडोलिनियम गैलियम गार्नेट (जीजीजी) एक के लिए उपयोग किया जाता है मैग्नेटो-ऑप्टिकल फिल्म (YIG पतली फिल्म या बिग) ऑप्टिकल संचार उपकरण में एक विशेष सब्सट्रेट

एमजीओ फेरो की पतली फिल्मों के लिए एक उत्कृष्ट एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट हैचुंबकीय, फोटो-इलेक्ट्रॉनिक और उच्च टीसी सुपरकंडक्टर सामग्री।

नीलमणि सब्सट्रेट के लिए लोकप्रिय सब्सट्रेट है III-V नाइट्राइड्स, सुपरकंडक्टर और कम के कारण चुंबकीय ईपीआई फिल्म गलत मिलान जाली और स्थिर रासायनिक और भौतिक गुण

प्रमुख क्षमता पैरामीटर विकास पद्धति ओर्थोगोनल यूनिट सेल निरंतर ए = 5.43, बी = 5.50, सी = 7.71 पिघला बिंदु (℃) 1600 ℃ घनत्व 7.57 जी / सीएम 3 ढांकता हुआ स्थिरांक25 विकास पद्धतिGZ आकार 10x3,10x5,10x10,15x15 ,,20x15,20x20, Ф15, ф20, ф1 ", ф2", ф2.6 " मोटाई 0.5 मिमी, 1.0 मिमी घर्षण एकल अथवा युगल क्रिस्टल अभिविन्यास पुनर्निर्देशन शुद्धता ± 0.5 डिग्री पुनर्निर्देशन द एज: 2 ° (विशेष में 1 °) क्रिस्टलीय का कोण विशेष आकार और अभिविन्यास उपलब्ध हैं निवेदन आरए: ≤5å (5μm × 5μm) पैक 100 साफ बैग, 1000 बिल्कुल साफ बैग

LaaLo3 सबसे महत्वपूर्ण औद्योगिक है, और कण आकार की फिल्म Kipen क्रिस्टल

प्रमुख क्षमता पैरामीटर क्रिस्टल की संरचनाM4 विकास पद्धति Czochralski तरीका यूनिट सेल निरंतर ए = 3.756å सी = 12.63 Å पिघला बिंदु (℃) 1650 घनत्व 5.9 2 (जी / सेमी 3) कठोरता 6-6.5 (मोहस) ढांकता हुआ स्थिरांक ε = 16.8 आकार 10x3,10x5,10x10,15x15 ,,20x15,20x20, Ф15, ф20, ф1 ", ф2", ф2.6 " मोटाई 0.5 मिमी, 1.0 मिमी घर्षण एकल अथवा युगल क्रिस्टल अभिविन्यास पुनर्निर्देशन शुद्धता ± 0.5 डिग्री पुनर्निर्देशन द एज: 2 ° (विशेष में 1 °) क्रिस्टलीय का कोण विशेष आकार और अभिविन्यास उपलब्ध हैं निवेदन आरए: ≤5å (5μm × 5μm) पैक 100 साफ बैग, 1000 बिल्कुल साफ बैग

रूटाइल (टीओओ 2) बड़ी बायरफ्रेंसेंस, बड़ी अपवर्तक सूचकांक, स्पेक्ट्रल प्रिज्म डिवाइस जैसे ऑप्टिकल Isolators के लिए एक विधि हैऔर ध्रुवीकरण बीम स्प्लिटर और एक बहुत अच्छी सामग्री